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化合物半导体SiC、GaN晶圆检查装置

简要描述:LODAS™ – CI8是列真株式会社推出的一款化合物半导体SiC、GaN晶圆检查装置。

  • 产品型号:CI8
  • 厂商性质:代理商
  • 产品资料:
  • 更新时间:2024-03-19
  • 访 问 量:1029

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    详细介绍

    列真株式会社自创业以来,秉承“挑战"、“创造"、“诚实"的经营理念,为顾客提供可靠、可信的产品和服务。运用激光扫描技术,专门制造、销售半导体材料表面及内部检查、石英玻璃表面检查等检查装置。其激光检测技术可同时收集激光的反射光,透射光以及共聚焦,可一次性检查第三代半导体SIC等材料表面,背面和内部的缺陷,可探测最小缺陷为100纳米,主要用于半导体光罩、LCD大型光罩的石英玻璃表面、内部、背面的缺陷检查

    82df6512-1229-47bc-94cc-9b549feb2675.jpg

    特征:

    • SiC单晶晶圆和EPI晶圆都可以检查。

    • 不仅是表面缺陷,内部缺陷和背面缺陷也同时检查。

    • 有助于缺陷分析的4种Review图像。

    • “AI Classify"进行缺陷分类、好坏判定。

    • 免维护。

    • 世界FIRST用反射散射光、透射散射光、共聚焦光的混合检查装置。

    • 能检出至今为止检查不出的缺陷。


    规格:

    • 检查激光:405nm 200mW

    • 检查时间:200sec(尺寸:4英寸)

    • 检查对象:2英寸、3英寸、4英寸、6英寸

    • 设备尺寸:WxDxH=450x500x730mm

    • 使用电源:AC100V~200V 10A


    应用:

    SiC、GaN

    半导体光罩(石英玻璃与涂层)

    石英Wafer Si Wafer

    HDD Disk LT Wafer

    蓝宝石衬底

    EUV光罩

    光罩防尘膜



    可全面检测表面、内部、背面的缺陷。

    检出缺陷:颗粒、划痕、结晶缺陷。

    外延缺陷衬底缺陷

    胡萝卜型缺陷六方空洞缺陷

    慧星缺陷层错缺陷

    三角缺陷微管缺陷

    边缘缺陷

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