6EZ-SIC抛光机

简要描述：Revasum拥有多年研磨和抛光超硬材料（如SiC）的经验，6EZ SiC抛光机是市场上仅有的一款专门为抛光SiC基片而设计的SiC CMP工具，竞争对手的抛光机基本上是为抛光硅集成电路而设计的，这有一套非常不同的要求，6EZ与其竞争对手之间最重要的区别在于晶圆载具的设计

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厂商性质：代理商
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更新时间：2024-03-19
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6EZ晶圆载具设计的优势：

·Revasum拥有多年研磨和抛光超硬材料（如SiC）的经验

·6EZ SiC抛光机是市场上仅有的一款专门为抛光SiC基片而设计的SiC CMP工具

·竞争对手的抛光机基本上是为抛光硅集成电路而设计的，这有一套非常不同的要求

·6EZ与其竞争对手之间最重要的区别在于晶圆载具的设计

布局和功能：

综合清洁站

·向晶圆的上表面和下表面分配1或2中清洁化学品

·高压喷淋棒（10psi）

晶圆翻转

·湿式机器人实现双面抛光

湿式转运站

·DIW和化学冲洗

三台200rpm抛光台，带抛光台和抛光垫冷却（5ºC）

·专用载体、护垫调节剂和护垫清洁剂

·两种浆料的流量控制器

·每张桌上的化学清洁剂（第三种浆料可选）

浆料分配臂

调节臂和盘片

优化晶圆载体

·基于经验证的ViPRR技术的设计

晶圆处理

·全自动C2C晶圆

·边缘抓握干式机器人搬运

·最多50片晶圆，无需操作员干预

晶圆载体对照表

项目	6EZ(板＋万向节)	竞争对手(薄膜)	影响
晶圆载体设计	板+万向节设计(适用于SiC)	基于膜的设计(适用于硅薄膜)	6EZ从头开始为SiC设计
抛光下压力	更高的"抛光下压力"(设计强劲，无RR力)	较低的"抛光下压力"(薄膜较弱，RR力降低抛光力)	MRR
可靠性	稳健设计，可靠性高	膜可能会意外失效（破裂）	正常运行时间，成本（膜成本高）
扣环设计	扣环不接触抛光垫；没有晶圆溢出	扣环上的下压力较大(需要保持晶圆)
下压力	更高的"抛光下压力"(100%的力用于晶圆)	较低的"抛光力"(超过RR所用力的一半)	MRR
扣环磨损	衬垫上最小的RR磨损可延长实用寿命	高RR磨损率降低使用寿命	正常运行时间，成本
衬垫磨损	延长极板寿命	RR摩擦缩短衬垫寿命	正常运行时间，成本
衬垫调节	所需的衬垫调节时间更短	需要更多的衬垫调节时间	正常运行时间，成本
热量产生	扣环摩擦不会产生热量	必须清除挡圈摩擦产生的热量	薄膜设计具有更高的衬垫过热风险(工艺风险)
区域控制	晶圆上的2个区域，可调节	晶圆上的2个区域，可调节

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